2022年，ASML、尼康、佳能前三大集成电路从光刻机出货500台以上，达到551台，较2021年的478台增长73台，增幅15%。

　　

　　I .掩模对准器的装运

　　2022年，ASML、尼康、佳能前三大集成电路从光刻机出货500台以上，达到551台，较2021年的478台增长73台，增幅15%。

　　从EUV、ArFi、ArF三款高端机型的出货量来看，2022年出货量为157台，较2021年的152台增长3%。其中，ASML出货149台，比2021年多4台，占市场95%；尼康出货量8台，占市场5%。双方市场份额均衡。

　　EUV依然是ASML的老大，市场份额100%；ASML在ArFi的市场份额高达95%；ASML在东盟地区论坛中占有87%的市场份额；在KrF方面，ASML也占据了72%的市场份额；ASML在I-line上也占有23%的市场份额。

　　2022年各季度出货量分别为95台、139台、144台、173台。与2021年各季度相比，只有***季度出货量有所下降，其他三个季度出货量均有所上升，三四季度出货量连续创出新高。第二，ASML

　　1.装运情况

　　2022年，ASML在光刻机方面的收入约为161亿美元，较2021年的131亿美元增长23%。

　　2022年，ASML发运了345套掩模对准器，与2021年的309套相比，增加了36套或12%。其中，EUV光刻机出货量40台，较2021年减少2台；ArFi mask aligner出货81台，与2021年持平；ArF光刻机出货28台，较2021年增加6台；KrF光刻机出货量151台，较2021年增长20台；I-line在mask aligner出货45套，2021年还会增加12套。

　　2022年，ASML在光刻机方面的EUV收入占光刻机总收入的44%。2022年，单个EUV的平均售价超过1.7亿欧元(约合11亿元***)，比2021年上涨了15%。这主要是因为公司2022年主要销售TWINSCAN NXE: 3600D，比TWINSCAN NXE: 3400C贵。

　　自2011年出售***台EUV机器以来，截***2022年第四季度，已售出183台。2022年，EUV光刻机加工了超过4000万片晶圆。

　　2022年，mask aligner来自中国大陆的收入约为21.6亿欧元，2021年为21.8亿欧元，但2022年mask aligner来自中国大陆的收入比例比2021年下降了2个百分点。

　　2.ASML EUV光刻机的新进展。

　　2018年以来，ASML一直在加速将EUV技术引入量产；二是扩大EUV生产规模，从2018年的22辆增加到2021年的42辆，2022年超过50辆，2023年生产单位数量进一步增加；第三，实验使用0.55 NA代替目前的0.33 NA，NA更高的EUV光刻系统可以将EUV光源以更大的角度投射到晶片上，从而提高分辨率，实现更小的特征尺寸。

　　0.33纳

　　目前主要出货的TWINSCAN NXE: 3600D，套刻精度1.1nm，曝光速度30 mJ/cm2，每小时曝光160片，年产量140万片。据悉，NXE:3600D可达93%可用率，预计2023年在DUV光刻机可达95%可用率。

　　自2017年第二季度***款量产型号TWINSCAN NXE: 3400B出货以来，已出货超过150台，包括NXE: 3400B、NXE: 3400C和NXE: 3600D。

　　根据ASML EUV光刻机路线图，预计2023年出货的NXE:3800E***初将以30mJ/cm的速度提供每小时195片以上的芯片，吞吐量升级后将达到每小时220片，同时在像差、重叠和吞吐量方面进行渐进式光学改进。NXE:4000F，预计2025年出货，套刻精度0.8nm，产能220片/小时。

　　图片脚注1/2/3显示，***初的晶圆小时规格可能从20mJ/cm2(250W)开始，然后达到30mJ/cm2(500W)，更有可能是60mJ/cm2(500W)。

　　0.55纳

　　在提升0.33 NA产能的同时，也在加快0.55 NA的研发进度。0.55 NA平台命名为EXE，光学设计新颖，处理速度更快。EXE平台旨在支持多个未来节点，从2 nm逻辑节点开始，然后是类似密度的内存节点。

　　EUV光刻机路线图显示，2023年将推出0.55 NA的EXE:5000 R&D型号，叠加精度1.1nm，可用于1nm生产。按照目前业界的情况，真正量产的型号EXE:5200B可能要等到2024年。英特尔位于亚利桑那州桑纳的D1X P3今年已经开放，新的洁净室正在等待2024年安装EXE:5200B，2025年生产Intel 20工艺。

　　2022年，SPIE***光刻会议报道称，ASML已经开始在其位于Veldhoven的新洁净室中集成***台0.55 NA EUV设备，原型预计将于2023年上半年完成。同时，正在与IMEC建立原型测试工厂，其中将建设0.55 NA系统，连接到镀膜和显影轨道，配备计量设备，并建立伴随0.55 NA工具开发的基础设施，包括形变成像、新型掩膜技术、计量、抗蚀剂筛选和薄膜图案化材料开发等。，***早将于2025年使用量产车型，2026年实现量产。

　　当然，作为一个由全球近800家供应商的数十万个零部件组成的“庞然大物”，光靠光刻机的努力是远远不够的。与光刻机相关的其他制造商也全力以赴，一切都在按计划进行。

　　镜头研发的进度肯定会影响新机型的交付时间。蔡司推出了0.55 NA的变形镜头。新的镜头系统在X方向放大4倍，Y方向放大8倍，曝光光场缩小一半，从858mm(26mm ×33mm)缩小到429 mm(26mm ×16.5mm)。为了不影响单位产能，需要达到两倍的曝光扫描速度来解决0.55 NA光刻机系统带来的双倍曝光时间。

　　光源方面，ASML***亚哥实验室已经实现了500W W以上的光源功率，从经验来看，研发到量产大概需要2年时间，2024年实现量产应该没有问题。在0.55 NA半场成像光刻机上，在60mJ/cm曝光能量的条件下，500W可以允许吞吐量达到150片/小时的生产效率。

　　对于EUV光致抗蚀剂，化学放大光致抗蚀剂(CAR)和金属氧化物光致抗蚀剂仍处于***阶段，优化参数仍在评估中，包括剂量敏感性、粘度、涂层均匀性和厚度、可实现的分辨率以及曝光期间材料中的光子/离子/电子相互作用。

　　当然，还有一个成本问题。目前出货的0.33 NA光刻机价格在10亿-15亿元之间，所以未来0.55 NA光刻机价格合适，估计会翻倍，在20亿-30亿元之间。但是，0.55 NA EUV可以减少晶圆厂的生产周期，因为单次0.55 NA EUV所需的总加工时间将小于多次0.33 NA EUV所需的总加工时间，这意味着生产周期缩短，生产率提高。另一方面也提高了芯片设计的灵活性，缩短了芯片设计周期。

　　不过目前客户下单还是很积极的。TSMC、英特尔、三星电子和SK海力士都订购了0.55 NA掩模对准器。

　　未来的超级北美(0.7/0.75北美)

　　在2022年的SPIE***光刻会议上，英特尔的马克·菲利普斯预测未来的高NA可能是0.7 NA。只是不知道要花多少钱。

　　ASML***近在2022年度财务报告中表示，2030年后，有望实现NA高于0.7(Hyper-NA)的EUV掩模对准器，但一切都取决于成本。

　　ASML正在继续努力控制0.33 NA EUV、高NA和超NA的当前成本，以确保对小型化的需求保持强劲。

　　超钠EUV口罩对准的方式。第三，佳能

　　1.装运情况

　　2022年，佳能口罩对准器的营收约为20亿美元。

　　2022年佳能半导体光刻机以i-line和KrF机出货，光刻机出货量达到176台，较2021年增长36台，增幅25%。其中I线机是出货主力，出货125台。佳能表示，得益于半导体光刻机在电源、传感器等广泛领域的持续坚定应用，产能得到了***大化，因此销售台数同比增长。

　　2022年，mask aligner出货51块佳能面板(FPD)，比2021年少16块。

　　佳能表示，2023年将建设新的光刻机工厂，产能将增加两倍；同时押注NIL技术，尽快达到5nm精度。

　　2.佳能纳米压印技术的发展。

　　1995年，美国普林斯顿大学华裔科学家Stephen Chou教授***提出了纳米压印光刻(NIL)的概念，揭开了纳米压印制造技术研究的序幕。

　　因为纳米压印技术不是用可见光或紫外光处理图案，而是用机械手段转移图案(相当于光学曝光技术中的曝光和显影过程)，然后用蚀刻转移工艺将结构转移到任何其他材料上，这种方法可以达到高分辨率。报道的***高分辨率可以达到2纳米。另外，模板可以重复使用，这无疑大大降低了加工成本，有效缩短了加工时间。

　　纳米压印光刻技术将现代微电子加工技术融入到印刷技术中，克服了光学曝光技术中光衍射带来的分辨率极限问题，显示了其超高分辨率、高效率、低成本和适合工业化生产的独特优势。自发明以来，受到学术界和工业界的高度重视。

　　经过30年的研究，纳米压印技术在许多方面取得了新的进展。起初，纳米压印技术使用热固性材料作为转移介质，填充在模板和待加工材料之间，转移过程中需要高压和加热使其固化。后来人们用光刻胶代替热固性材料，用注射加工代替压印加工，避免了高压和加热对加工器件的损伤，有效防止了气泡对加工精度的影响。

　　并且模板的选择更加多样化。原有的刚性模板虽然可以获得较高的加工精度，但只能应用于平面加工。研究人员提出使用高弹性模量的PDMS作为模板材料，开发了软压印技术。由这种柔性材料制成的模板可以适应不同形貌的表面，使得加工不局限于平面，对颗粒、褶皱等影响加工质量的因素有更好的容忍度。

　　佳能从2004年就开始秘密研发纳米压印技术。直到2014年收购了从事纳米压印基础技术研发的美国公司Molecular Imprints(现为佳能纳米技术公司)，才公之于众。

　　***新的纳米压印光刻(NIL)参数良好，对准精度达到2.4nm/3.2nm，每小时曝光100片以上。

　　据报道，纳米压印(NIL)已经达到了3D NAND的要求。2017年7月，日本3D NAND厂商Kioxia(原东芝存储部门)开始使用该设备。除了3D NAND，还能满足1Anm DRAM的生产要求。

　　佳能与DNP和侠义合作，NIL在技术研发方面已经能够处理高达5nm的电路线宽。大日本印刷通过模拟测试发现，电路形成过程中每片晶圆的功耗只有EUV光刻的十分之一左右。第四，尼康

　　2022年，尼康在光刻机方面的业务收入约为15亿美元。

　　2022年，30套尼康集成电路从mask aligner出货，比2021年少5套。其中，ArFi mask aligner出货4台，与2021年持平；ArF光刻机出货4套，较2021年增加1套；KrF在mask aligner出货7台，比2021年多2台；I-line在mask aligner出货15套，比2021年少8套。

　　2022年，尼康出货新机14台，翻新机16台。

　　2022年，28块尼康面板(FPD)从mask aligner出货，比2021年少40%。其中10、5代线5台从光刻机出货。

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